ELECTRICAL TRANSPORT IN BI DOPED N-TYPE AMORPHOUS-SEMICONDUCTORS (GESE3.5)100-XBIX AT HIGH-PRESSURE

被引：18

作者：

BHATIA, KL ^{[1
]}

PARTHASARATHY, G ^{[1
]}

GOPAL, ESR ^{[1
]}

机构：

[1] INDIAN INST SCI,DEPT PHYS,BANGALORE 560012,KARNATAKA,INDIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-3093(83)90340-X

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：1019 / 1021

页数：3

共 6 条

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