NITROGEN-SILICON REACTION AND ITS INFLUENCE ON DIELECTRIC STRENGTH OF THERMAL SILICON DIOXIDE

被引：43

作者：

VROMEN, BH ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,SYST PROD DIV,E FISHKILL,HOPEWELL JUNCTION,NY 12533

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1975年 / 27卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1063/1.88390

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

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页码：152 / 154

页数：3

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FRITZSCH.CR
ROTHEMUN.W
[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1973, 120 (11) : 1603 - 1605
[2] FRITZSCHE C, 1967, Z ANGEW PHYS, V24, P43
[3] GIBBONS JF, 1975, PROJECTED RANGE STAT
[4] DIELECTRIC BREAKDOWN IN SILICON DIOXIDE FILMS ON SILICON .1. MEASUREMENT AND INTERPRETATION
OSBURN, CM
ORMOND, DW
[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1972, 119 (05) : 591 - +
[5] NITROGEN REACTION AT A SILICON-SILICON DIOXIDE INTERFACE
RAIDER, SI
GDULA, RA
PETRAK, JR
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1975, 27 (03) : 150 - 152