ANNEALING CHARACTERISTICS OF ARSENIC-IMPLANTED SILICON

被引：1

作者：

NOJIMA, S ^{[1
]}

YAMAZAKI, H ^{[1
]}

HARADA, H ^{[1
]}

FUJIMOTO, M ^{[1
]}

机构：

[1] MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHINO,TOKYO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.16.193

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：193 / 194

页数：2

共 6 条

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