AN EXTENSION OF THE MODEL FOR THE EXTRACURRENT IN ALMOST IDEAL SILICON JUNCTION DIODES

被引：11

作者：

CEROFOLINI, GF

POLIGNANO, ML

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1984年 / 56卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.334056

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

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页码：1230 / 1232

页数：3

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共 2 条

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