1/F NOISE IN MODULATION-DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：4

作者：

DUH, KH

VANDERZIEL, A

MORKOC, H

机构：

[1] UNIV ILLINOIS,DEPT ELECT ENGN,URBANA,IL 61801

[2] UNIV ILLINOIS,COORDINATED SCI LAB,URBANA,IL 61801

来源：

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1983年 / 4卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1109/EDL.1983.25628

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：12 / 13

页数：2

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