110 GHZ GAAS-FET OSCILLATOR

被引：12

作者：

TSERNG, HQ

KIM, B

机构：

[1] Texas Instruments Inc, Central, Research Lab, Dallas, TX, USA, Texas Instruments Inc, Central Research Lab, Dallas, TX, USA

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1985年 / 21卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850125

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

5

引用

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页码：178 / 179

页数：2

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共 5 条

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