MONITORING LOW-DOSE SINGLE IMPLANTED LAYERS WITH 4-POINT PROBE TECHNOLOGY

被引：3

作者：

CHEN, JTC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(87)90897-4

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

引用

页码：526 / 528

页数：3

相关论文

共 6 条

[1]

CHEN JTC, 1900, SPIE, V530, P215

[2] FORMATION OF ULTRATHIN OXIDE-FILMS ON SILICON [J].

FEHLNER, FP .

[3]

KAPOOR VJ, 1977, J APPL PHYS, V48, P739, DOI 10.1063/1.323664

[4]

MARKET MJ, 1983, MAY M EL SOC SAN FRA

[5]

SZE SM, 1969, PHYSICS SEMICONDUCTO, P40

[6] HOLE TRAPS IN SILICON DIOXIDE [J].

WOODS, MH ;

WILLIAMS, R .