ENHANCED RADIATION EFFECTS ON SUB-MICRON NARROW-CHANNEL NMOS

被引：8

作者：

CHEN, JY ^{[1
]}

HENDERSON, RC ^{[1
]}

MARTIN, R ^{[1
]}

PATTERSON, DO ^{[1
]}

机构：

[1] USN, RES LABS, WARMINSTER, PA 18974 USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1982.4336428

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1681 / 1684

页数：4

共 6 条

CHEN, JY ;

HENDERSON, RC ;

PATTERSON, DO ;

MARTIN, R .

ELECTRON DEVICE LETTERS, 1982, 3 (01) :13-15

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