EFFECT OF IMPURITY DISTRIBUTION ON SIMULTANEOUS LASER ACTION IN GAAS AT 0.84 + 0.88 MU ( ZN SN SI TE DOPANTS TEMPERATURE DEPENDENCE DEPENDS ON DOPING 4.2 DEGREES 27 DEGREES 78 DEGREES K E )

被引：24

作者：

NELSON, H

DOUSMANIS, GC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1753935

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：192 / &

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共 4 条

DOUSMANIS, GC ;

MUELLER, CW ;

NELSON, H .

[2]

DOUSMANIS GC, 1964, PHYS REV, VA133, P316

NATHAN, MI ;

BURNS, G .

[4]

NELSON H, 1963, RCA REV, V24, P603