NEW HETEROJUNCTION GATE GAAS FET

被引：15

作者：

UMEBACHI, S ^{[1
]}

ASAHI, K ^{[1
]}

INOUE, M ^{[1
]}

KANO, G ^{[1
]}

机构：

[1] MATSUSHITA ELECTR CORP,RES LAB,TAKATSUKI,OSAKA,JAPAN

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1975年 / 22卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1975.18186

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：613 / 614

页数：2

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共 4 条

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