THE TOTAL DOSE DEPENDENCE OF THE SINGLE EVENT UPSET SENSITIVITY OF IDT STATIC RAMS

被引：37

作者：

CAMPBELL, AB

STAPOR, WJ

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1984年 / 31卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1984.4333477

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：1175 / 1177

页数：3

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共 2 条

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