SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS OF NICKEL-PLATINUM SILICIDE CONTACTS ON NORMAL-TYPE SI

被引：12

作者：

TERRY, LE ^{[1
]}

SALTICH, J ^{[1
]}

机构：

[1] MOTOROLA SEMICONDUCTOR PROD DIV,5005 E MCDOWELL RD,PHOENIX,AZ 85008

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1976年 / 28卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.88708

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：229 / 231

页数：3

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共 4 条

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