METHOD OF GROWING OF P-TYPE GAN IN NONEQUILIBRIUM CONDITIONS

被引：9

作者：

DESNICA, UV ^{[1
]}

URLI, NB ^{[1
]}

ETLINGER, B ^{[1
]}

机构：

[1] RUDJER BOSKOVIC INST, YU-41000, ZAGREB, YUGOSLAVIA

来源：

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.15.4119

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：4119 / 4120

页数：2

共 7 条

[1]

DESNICA UV, TO BE PUBLISHED

[2] EPITAXIAL-GROWTH OF UNDOPED AND MG-DOPED GAN [J].

SANO, M ;

AOKI, M .

[3] ENTHALPY OF VACANCY MIGRATION IN SI AND GE [J].

VANVECHTEN, JA .

VANVECHTEN, JA .

PHYSICAL REVIEW, 1969, 182 (03) :891-+

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[7]

VANVECHTEN JA, 1976, P INT C RADIATION EF