ELECTRICAL-PROPERTIES OF SI HEAVILY IMPLANTED WITH BORON MOLECULAR-IONS

被引：22

作者：

FUSE, G ^{[1
]}

HIRAO, T ^{[1
]}

INOUE, K ^{[1
]}

TAKAYANAGI, S ^{[1
]}

YAEGASHI, Y ^{[1
]}

机构：

[1] MATSUSHITA ELECTR CORP,KYOTO,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.331148

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：3650 / 3653

页数：4

共 6 条

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