DEEP LEVEL ANALYSIS IN HETEROSTRUCTURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS BY MEANS OF THE PHOTO-FET METHOD

被引：10

作者：

HEUKEN, M

LORECK, L

HEIME, K

PLOOG, K

SCHLAPP, W

WEIMANN, G

机构：

[1] DEUTSCH BUNDESPOST,FORSCH INST,D-6100 DARMSTADT,FED REP GER

[2] MAX PLANCK INST FESTKORPERFORSCH,D-7000 STUTTGART 80,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1986.22553

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：693 / 697

页数：5

共 6 条

[1]

HIKOSAKA K, I PHYS C SER, V63, P233

[2]

IKOMA T, 1984, 11TH P INT S GAAS RE

LORECK, L ;

DAMBKES, H ;

HEIME, K ;

PLOOG, K ;

WEIMANN, G .

[4]

LORECK L, 1985, THESIS U DUISBURG

TEGUDE, FJ ;

HEIME, K .

[6]

TEGUDE FJ, 1984, OCT GAAS REL COMP C