TRANSISTOR EFFECT IN MONOLITHIC SI/COSI2/SI EPITAXIAL STRUCTURES

被引：112

作者：

ROSENCHER, E

DELAGE, S

CAMPIDELLI, Y

DAVITAYA, FA

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1984年 / 20卷 / 19期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19840519

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：762 / 764

页数：3

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共 11 条

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