CHARACTERIZATION OF MECHANOCHEMICALLY POLISHED (111) SURFACE OF SILICON CRYSTAL BY DIFFUSE-X-RAY SCATTERING

被引：13

作者：

KASHIWAGURA, N ^{[1
]}

HARADA, J ^{[1
]}

OGINO, M ^{[1
]}

机构：

[1] TOSHIBA CORP,SEMICOND DEVICE ENGN LAB,SAIWAI KU,KAWASAKI 210,JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.332295

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：2706 / 2710

页数：5

共 6 条

KOTAKE, H ;

TAKASU, S .

[2]

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[3]

TAKASU S, 1975, JPN J APPL PHYS S, V44, P259

YASUAMI, S ;

HARADA, J .

YASUAMI, S ;

HARADA, J ;

WAKAMATSU, K .

[6] CHARACTERIZATION OF DICING PROCESS BY X-RAY SECTION TOPOGRAPHY [J].

YASUAMI, S .