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NEW LIQUID-PHASE EPITAXIAL-GROWTH METHOD FOR GROWTH OF (ALGA)AS, GAAS MULTILAYERS
被引:21
作者
:
HORIKOSHI, Y
论文数:
0
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0
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0
机构:
NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHNO,TOKYO,JAPAN
NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHNO,TOKYO,JAPAN
HORIKOSHI, Y
[
1
]
机构
:
[1]
NIPPON TELEGRAPH & TEL PUBL CORP MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,MUSASHNO,TOKYO,JAPAN
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1976年
/ 15卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.15.887
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:887 / 888
页数:2
相关论文
共 4 条
[1]
Alferov Zh. I., 1975, Kristall und Technik, V10, P103, DOI 10.1002/crat.19750100205
[2]
EPITAXIAL-GROWTH OF (ALGA)AS AND GAAS ON (ALGA)AS SUBSTRATE
[J].
HORIKOSHI, Y
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机构:
NTT,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,TOKYO,JAPAN
NTT,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,TOKYO,JAPAN
HORIKOSHI, Y
;
FURUKAWA, Y
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机构:
NTT,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,TOKYO,JAPAN
NTT,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,TOKYO,JAPAN
FURUKAWA, Y
.
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1975,
14
(11)
:1727
-1732
[3]
REPRODUCIBLE LIQUID-PHASE-EPITAXIAL GROWTH OF DOUBLE HETEROSTRUCTURE GAAS-ALXGA1-XAS LASER-DIODES
[J].
MILLER, BI
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MILLER, BI
;
CAPIK, RJ
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HAYASHI, I
;
PINKAS, E
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PINKAS, E
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1972,
43
(06)
:2817
-&
[4]
GAAS-ALXGA1-XAS DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASERS-EFFECT OF DOPING ON LASING CHARACTERISTICS OF GAAS
[J].
PINKAS, E
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1972,
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[1]
Alferov Zh. I., 1975, Kristall und Technik, V10, P103, DOI 10.1002/crat.19750100205
[2]
EPITAXIAL-GROWTH OF (ALGA)AS AND GAAS ON (ALGA)AS SUBSTRATE
[J].
HORIKOSHI, Y
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NTT,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,TOKYO,JAPAN
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FURUKAWA, Y
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NTT,MUSASHINO ELECT COMMUN LAB,TOKYO,JAPAN
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FURUKAWA, Y
.
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1975,
14
(11)
:1727
-1732
[3]
REPRODUCIBLE LIQUID-PHASE-EPITAXIAL GROWTH OF DOUBLE HETEROSTRUCTURE GAAS-ALXGA1-XAS LASER-DIODES
[J].
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PINKAS, E
.
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1972,
43
(06)
:2817
-&
[4]
GAAS-ALXGA1-XAS DOUBLE HETEROSTRUCTURE LASERS-EFFECT OF DOPING ON LASING CHARACTERISTICS OF GAAS
[J].
PINKAS, E
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FOY, PW
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1972,
43
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