PREPARATION OF SOLID SOLUTIONS OF GAP AND GAAS BY A GAS PHASE REACTION

被引：30

作者：

PIZZARELLO, FA

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2425376

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：226 / 229

页数：4

共 5 条

[1] PREPARATION OF CRYSTALS OF INAS, INP, GAAS, AND GAP BY A VAPOR PHASE REACTION
ANTELL, GR
EFFER, D
[J]. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 1959, 106 (06) : 509 - 511
[2] FLICKER H, 1960, B AM PHYS SOC, V8, P407
[3] MISCHKRISTALLBILDUNG BEI AIII BV-VERBINDUNGEN
FOLBERTH, OG
[J]. ZEITSCHRIFT FUR NATURFORSCHUNG PART A-ASTROPHYSIK PHYSIK UND PHYSIKALISCHE CHEMIE, 1955, 10 (06): : 502 - 503
[4] MARIMACE IC, 1960, IBM J RES DEV, V4, P248
[5] EPITAXIAL GROWTH OF SILICON
WAJDA, ES
KIPPENHAN, BW
WHITE, WH
[J]. IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT, 1960, 4 (03) : 288 - 295