EFFECT OF RANDOMNESS IN DISTRIBUTION OF IMPURITY ATOMS ON FET THRESHOLDS

被引：126

作者：

KEYES, RW ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HEIGHTS,NY 10598

来源：

APPLIED PHYSICS | 1975年 / 8卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1007/BF00896619

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：251 / 259

页数：9

共 16 条

BREWS, JR .

BREWS, JR .

[3]

Broadbent SR., 1957, MATH PROC CAMBRIDGE, V53, P629, DOI [DOI 10.1017/S0305004100032680, 10.1017/S030500410003 2680]

[4]

BROERS AN, 1973, SEMICONDUCTOR SILICO, P830

[5]

DEAN P, 1967, PROC CAMB PHILOS S-M, V63, P477

HERRING, C .

[7] FUNDAMENTAL LIMITATIONS IN MICROELECTRONICS .1. MOS TECHNOLOGY [J].

HOENEISEN, B ;

MEAD, CA .

[8] PERCOLATION AND CONDUCTION [J].

KIRKPATRICK, S .

KIRKPATRICK, S .

[10] THE ELECTRICAL RESISTANCE OF BINARY METALLIC MIXTURES [J].

LANDAUER, R .