HIGH TRANSCONDUCTANCE INP MISFETS WITH DOUBLE-LAYER GATE INSULATOR

被引：11

作者：

DIMITRIOU, P ^{[1
]}

POST, G ^{[1
]}

SCAVENNEC, A ^{[1
]}

DUHAMEL, N ^{[1
]}

LORANS, M ^{[1
]}

机构：

[1] SAT,F-86280 ST BENOIT,FRANCE

来源：

PHYSICA B & C | 1985年 / 129卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(85)90610-2

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：399 / 402

页数：4

共 4 条

[1]

COT L, 1981, ESSDERC, P203

PANDE, KP ;

NAIR, VKR .

[3] INP MIS TRANSISTORS WITH GROWN-IN SULFUR DIELECTRIC [J].

POST, G ;

DIMITRIOU, P ;

SCAVENNEC, A ;

DUHAMEL, N ;

MIRCEA, A .

SAWADA, T ;

HASEGAWA, H ;

OHNO, H .