ELECTRICAL AND OPTICAL CHARACTERISTICS OF INP ENHANCEMENT MODE METAL-INSULATOR SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH A NOVEL ANODIC DOUBLE-LAYER GATE INSULATOR

被引:11
作者
SAWADA, T
HASEGAWA, H
OHNO, H
机构
关键词
D O I
10.1016/0040-6090(83)90429-7
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
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