DYNAMIC PROPERTIES OF INTERFACE-STATE BANDS IN GAAS ANODIC MOS SYSTEM

被引:42
作者
HASEGAWA, H
SAWADA, T
机构
来源
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1979年 / 16卷 / 05期
关键词
D O I
10.1116/1.570226
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:1478 / 1482
页数:5
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