MASKLESS ION-IMPLANTATION SYSTEM FOR 3-DIMENSIONAL FINE DOPING STRUCTURES IN III-V COMPOUND SEMICONDUCTORS

被引：11

作者：

MIYAUCHI, E

HASHIMOTO, H

机构：

来源：

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS | 1987年 / 21卷 / 2-4期

关键词：

D O I：

10.1016/0168-583X(87)90806-8

中图分类号：

TH7 [仪器、仪表];

学科分类号：

0804 ; 080401 ; 081102 ;

摘要：

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页码：104 / 111

页数：8

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共 13 条

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