INFLUENCE OF INAPPROPRIATE PROCESSES ON GROWTH OF SILICON EPITAXIAL LAYERS

被引：2

作者：

AHARONI, H ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV NEGEV,DEPT ELECT ENGN,MICROELECTR,BEER SHEVA,ISRAEL

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/S0042-207X(76)80003-6

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：149 / 157

页数：9

相关论文

共 4 条

[1]

Burger R M, 1967, FUNDAMENTALS SILICON, V1

[2]

NIELSEN S, 1964, MICROELECTRON RELIAB, V3, P165

[3] SILICON EPITAXIAL-GROWTH [J].

NISHIZAWA, JI ;

TERASAKI, T ;

SHIMBO, M .

[4] EFFECTS OF SUBSTRATE ORIENTATION ON EPITAXIAL GROWTH [J].

TUNG, SK .