RELIABILITY OF MOS LSI CIRCUITS

被引：10

作者：

COLBOURNE, ED ^{[1
]}

COVERLEY, GP ^{[1
]}

BEHERA, SK ^{[1
]}

机构：

[1] MICROSYST INT LTD, OTTAWA, ONTARIO, CANADA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1974.9412

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：244 / 259

页数：16

共 39 条

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