DIRECT EVIDENCE FOR CO-AGGREGATION OF CARBON AND OXYGEN IN CZOCHRALSKI SILICON

被引：36

作者：

SHIMURA, F ^{[1
]}

HOCKETT, RS ^{[1
]}

REED, DA ^{[1
]}

WAYNE, DH ^{[1
]}

机构：

[1] CHARLES EVANS & ASSOCIATES,SAN MATEO,CA 94402

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1985年 / 47卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1063/1.95985

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：794 / 797

页数：4

相关论文

共 13 条

[11]

SHIMURA F, 1985, VLSI SCI TECHNOLOGY, P507

[12]

SHIMURA F, 1982, VLSI SCI TECHNOLOGY, P17

[13] EPR OBSERVATION OF ISOLATED INTERSTITIAL CARBON-ATOM IN SILICON [J].

WATKINS, GD ;

BROWER, KL .

PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1976, 36 (22) :1329-1332