A 1.3 MU-M INGAASP/INP MULTIQUANTUM WELL LASER GROWN BY LPE

被引：12

作者：

SASAI, Y

HASE, N

KAJIWARA, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1985年 / 24卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.24.L137

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：L137 / L139

页数：3

相关论文

共 13 条

[11] TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THRESHOLD CURRENT FOR COUPLED MULTIPLE QUANTUM-WELL IN1-XGAXP1-ZASZ-INP HETEROSTRUCTURE LASER-DIODES [J].

REZEK, EA ;

HOLONYAK, N ;

FULLER, BK .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1980, 51 (05) :2402-2405

[12] LPE GROWTH OF 1.5-1.6-MU-M IN1-XGAXAS1-YPY CRYSTALS BY A MODIFIED SOURCE-SEED METHOD [J].

TAKAHEI, K ;

NAGAI, H .

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1981, 51 (03) :541-550

[13] 1.3 MU-M INGAASP/INP MULTIQUANTUM-WELL LASERS GROWN BY VAPOR-PHASE EPITAXY [J].

YANASE, T ;

KATO, Y ;

MITO, I ;

YAMAGUCHI, M ;

NISHI, K ;

KOBAYASHI, K ;

LANG, R .

ELECTRONICS LETTERS, 1983, 19 (17) :700-701