ELECTRON MICROSCOPICAL STUDY OF OXYGEN RELATED DEFECTS IN CZOCHRALSKI SILICON

被引:4
作者
BENDER, H [1 ]
CLAEYS, C [1 ]
VANLANDUYT, J [1 ]
DECLERCK, G [1 ]
AMELINCKX, S [1 ]
VANOVERSTRAETEN, R [1 ]
机构
[1] CATHOLIC UNIV LEUVEN,B-3030 HEVERLE,BELGIUM
来源
JOURNAL DE PHYSIQUE | 1983年 / 44卷 / NC-4期
关键词
D O I
10.1051/jphyscol:1983431
中图分类号
学科分类号
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页码:261 / 265
页数:5
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