TRAPPING KINETICS IN HIGH TRAP DENSITY SILICON-NITRIDE INSULATORS

被引:12
作者
BIBYK, SB [1 ]
KAPOOR, VJ [1 ]
机构
[1] UNIV CINCINNATI,DEPT ELECT & COMP ENGN,SOLID STATE ELECTR LAB,CINCINNATI,OH 45221
关键词
D O I
10.1063/1.334076
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
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页码:1070 / 1079
页数:10
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