SELECTIVE ISOTROPIC DRY ETCHING OF SI3N4 OVER SIO2

被引：14

作者：

SANDERS, FHM ^{[1
]}

DIELEMAN, J ^{[1
]}

PETERS, HJB ^{[1
]}

SANDERS, JAM ^{[1
]}

机构：

[1] SIGNET CORP,PHILIPS RES LABS,SUNNYVALE,CA 94086

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2123608

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2559 / 2561

页数：3

共 7 条

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