RADIATIVE DECAY OF THE BOUND EXCITON IN DIRECT-GAP SEMICONDUCTORS - THE CORRELATION EFFECT

被引:48
作者
SANDERS, GD [1 ]
CHANG, YC [1 ]
机构
[1] UNIV ILLINOIS,MAT RES LAB,URBANA,IL 61801
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1983年 / 28卷 / 10期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.28.5887
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
收藏
页码:5887 / 5896
页数:10
相关论文
共 25 条