A HIGH-PERFORMANCE DIRECTLY INSERTABLE SELF-ALIGNED ULTRA-RADIATION-HARD AND ENHANCED ISOLATION FIELD-OXIDE TECHNOLOGY FOR GIGAHERTZ SI-CMOS VLSI

被引：1

作者：

MANCHANDA, L

HILLENIUS, SJ

LYNCH, WT

CONG, HI

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/55.31667

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：17 / 19

页数：3

共 8 条

[1] MULTIGIGAHERTZ CMOS DUAL-MODULUS PRESCALAR IC [J].

CONG, HI ;

ANDREWS, JM ;

BOULIN, DM ;

FANG, SC ;

HILLENIUS, SJ ;

MICHEJDA, JA .

HATANO, H ;

TAKATSUKA, S .

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HILLENIUS SJ, 1986, IEDM, P259

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MANCHANDA L, IN PRESS IEEE T ELEC

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