LOCAL TEMPERATURE RISE DURING LASER-INDUCED ETCHING OF GALLIUM-ARSENIDE IN SICL4 ATMOSPHERE

被引：17

作者：

TAKAI, M

NAKAI, H

TSUCHIMOTO, J

GAMO, K

NAMBA, S

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1985年 / 24卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.24.L705

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：L705 / L708

页数：4

相关论文

共 21 条

[21] TEMPERATURE DEPENDENCE OF ENERGY GAP IN SEMICONDUCTORS [J].

VARSHNI, YP .

PHYSICA, 1967, 34 (01) :149-&