OPTICAL ETCH-RATE MONITORING USING ACTIVE DEVICE AREAS - LATERAL INTERFERENCE EFFECTS

被引：32

作者：

HEIMANN, PA

机构：

[1] AT&T Bell Lab, Murray Hill, NJ,, USA, AT&T Bell Lab, Murray Hill, NJ, USA

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2114269

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

INTEGRATED CIRCUIT MANUFACTURE

引用

页码：2003 / 2006

页数：4

共 6 条

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