ATOMIC CONFIGURATION OF HYDROGENATED AND CLEAN SI(110) SURFACES

被引:81
作者
AMPO, H [1 ]
MIURA, S [1 ]
KATO, K [1 ]
OHKAWA, Y [1 ]
TAMURA, A [1 ]
机构
[1] WASEDA UNIV,DEPT APPL PHYS,TOKYO 160,JAPAN
来源
PHYSICAL REVIEW B | 1986年 / 34卷 / 04期
关键词
D O I
10.1103/PhysRevB.34.2329
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
引用
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页码:2329 / 2335
页数:7
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