LONG-TERM TRANSIENT RADIATION RESPONSE OF GAAS-FETS FABRICATED ON AN AIGAAS BUFFER LAYER

被引：10

作者：

ANDERSON, WT ^{[1
]}

SIMONS, M ^{[1
]}

TSENG, WF ^{[1
]}

机构：

[1] RES TRIANGLE INST,RES TRIANGLE PK,NC 27709

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1986.4334620

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1442 / 1446

页数：5

共 6 条

ANDERSON, WT ;

SIMONS, M ;

KING, EE ;

DIETRICH, HB ;

LAMBERT, RJ .

[2] LONG-TERM RADIATION TRANSIENTS IN GAAS-FETS [J].

SIMONS, M ;

KING, EE .

SIMONS, M ;

KING, EE ;

ANDERSON, WT ;

DAY, HM .

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