REDUCTION OF LONG-TERM TRANSIENT RADIATION RESPONSE IN ION-IMPLANTED GAAS-FETS

被引：20

作者：

ANDERSON, WT

SIMONS, M

KING, EE

DIETRICH, HB

LAMBERT, RJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1982.4336399

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1533 / 1538

页数：6

共 7 条

ITOH, T ;

YANAI, H .

[2]

ITOH T, 1979, I PHYS C SER, V45, P326

[3]

KING EE, 1981, Patent No. 65548

[4]

Milnes A., 1973, DEEP IMPURITIES SEMI

[5] SUB-MICRON GATE GAAS MESFETS WITH ION-IMPLANTED CHANNELS [J].

NOZAKI, T ;

OHATA, K .

[6] LONG-TERM RADIATION TRANSIENTS IN GAAS-FETS [J].

SIMONS, M ;

KING, EE .

SIMONS, M ;

KING, EE ;

ANDERSON, WT ;

DAY, HM .