INFLUENCE OF DEVICE GEOMETRY ON CONDUCTANCE DLTS SPECTRA OF GAAS-MESFETS

被引：9

作者：

BLIGHT, SR ^{[1
]}

WALLIS, RH ^{[1
]}

THOMAS, H ^{[1
]}

机构：

[1] UWIST,DEPT PHYS ELECTR & ELECT ENGN,CARDIFF CF1 3XA,WALES

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19860032

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：47 / 48

页数：2

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