OPTIMUM DOPING PROFILE OF POWER MOSFET EPITAXIAL LAYER

被引：19

作者：

CHEN, XB ^{[1
]}

HU, CM ^{[1
]}

机构：

[1] CHENGDU INST RADIO ENGN,CHENGDU,PEOPLES R CHINA

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1982.20818

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：985 / 987

页数：3

共 7 条

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