OPTIMUM DESIGN OF N+-N- DOUBLE-DIFFUSED DRAIN MOSFET TO REDUCE HOT-CARRIER EMISSION

被引:21
作者
KOYANAGI, M
KANEKO, H
SHIMIZU, S
机构
关键词
D O I
10.1109/T-ED.1985.21978
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
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页码:562 / 570
页数:9
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