VELOCITY-FIELD CHARACTERISTICS OF ELECTRONS IN DOPED GAAS

被引：18

作者：

MASSELINK, WT

KUECH, TF

机构：

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 1989年 / 18卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1007/BF02657469

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：579 / 584

页数：6

相关论文

共 21 条

[21] HIGH-FIELD CONDUCTIVITY IN GERMANIUM AND SILICON AT MICROWAVE FREQUENCIES [J].

ZUCKER, J ;

FOWLER, VJ ;

CONWELL, EM .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1961, 32 (12) :2606-&