DETERMINATION OF DEEP TRAP LEVELS IN SILICON USING ION-IMPLANTATION AND CV-MEASUREMENTS

被引：45

作者：

SCHULZ, M ^{[1
]}

机构：

[1] FRAUNHOFER GESELL,INST ANGEW FESTKORPER PHYS,D-7800 FREIBURG,WEST GERMANY

来源：

APPLIED PHYSICS | 1974年 / 4卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1007/BF00884233

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：225 / 236

页数：12

共 24 条

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