DOPANT PROFILING IN SILICON ON SAPPHIRE USING SPREADING RESISTANCE

被引：4

作者：

PAWLIK, M

GROVES, RD

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.94805

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：542 / 544

页数：3

共 6 条

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