TEMPERATURE DEPENDENCE OF RADIATION DAMAGE IN SILICON

被引：10

作者：

FANG, PH

LIU, YM

机构：

来源：

PHYSICS LETTERS | 1966年 / 20卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1016/0031-9163(66)90731-1

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：344 / &

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共 4 条

[1] ANISOTROPY OF DEFECT FORMATION IN RADIATED SILICON [J].

FANG, PH .

PHYSICS LETTERS, 1965, 16 (03) :216-&

[2]

HASIGUTI RR, 1965, S RADIATION DAMAGE S, P209

[3]

INUISHI Y, 1963, J PHYS SOC JAPAN S3, V18, P240

[4] HALL EFFECT MEASUREMENT OF RADIATION DAMAGE + ANNEALING IN SI [J].

TANAKA, T ;

INUISHI, Y .