CAVITY LENGTH DEPENDENCE OF THE THRESHOLD BEHAVIOR IN THIN QUANTUM-WELL SEMICONDUCTOR-LASERS

被引:69
作者
REISINGER, AR [1 ]
ZORY, PS [1 ]
WATERS, RG [1 ]
机构
[1] MCDONNELL DOUGLAS ASTRONAUT CO,CTR OPTOELECTR,ELMSFORD,NY 10523
关键词
D O I
10.1109/JQE.1987.1073459
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页数:7
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