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DEPENDENCE OF RESISTIVITY ON DOPING LEVEL OF POLYCRYSTALLINE SILICON
被引:68
作者
:
FRIPP, AL
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
NASA,LANGLEY RES CTR,HAMPTON,VA 23665
NASA,LANGLEY RES CTR,HAMPTON,VA 23665
FRIPP, AL
[
1
]
机构
:
[1]
NASA,LANGLEY RES CTR,HAMPTON,VA 23665
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1975年
/ 46卷
/ 03期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.321687
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:1240 / 1244
页数:5
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