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CONTACT RESISTANCE - AL AND AL-SI TO DIFFUSED N+ AND P+ SILICON
被引:25
作者
:
FAITH, TJ
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FAITH, TJ
IRVEN, RS
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IRVEN, RS
PLANTE, SK
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PLANTE, SK
ONEILL, JJ
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ONEILL, JJ
机构
:
来源
:
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
|
1983年
/ 1卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1116/1.571943
中图分类号
:
TB3 [工程材料学];
学科分类号
:
0805 ;
080502 ;
摘要
:
引用
收藏
页码:443 / 448
页数:6
相关论文
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RHODES SJ, 1981, SEMICOND INT, V5, P65
[12]
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SOLID-STATE ELECTRONICS,
1971,
14
(06)
: 433
-
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[13]
DIFFUSION-LIMITED SI PRECIPITATION IN EVAPORATED AL/SI FILMS
VANGURP, GJ
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机构:
PHILIPS RES LABS,EINDHOVEN,NETHERLANDS
PHILIPS RES LABS,EINDHOVEN,NETHERLANDS
VANGURP, GJ
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1973,
44
(05)
: 2040
-
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RHODES SJ, 1981, SEMICOND INT, V5, P65
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1971,
14
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VANGURP, GJ
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PHILIPS RES LABS,EINDHOVEN,NETHERLANDS
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VANGURP, GJ
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1973,
44
(05)
: 2040
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