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BELOW 20 PS GATE OPERATION WITH GAAS SAINT FETS AT ROOM-TEMPERATURE
被引:16
作者
:
YAMASAKI, K
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YAMASAKI, K
YAMANE, Y
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KURUMADA, K
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1982年
/ 18卷
/ 14期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19820406
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
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1982,
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[4]
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[1]
PLANAR ENHANCEMENT MODE TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS FET ASSOCIATED WITH A LOW ALGAAS SURFACE-POTENTIAL
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-121
[4]
YOKOYAMA N, 1981, IEEE ISSCC, P218
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