PLANAR NORMALLY-OFF GAAS JFET FOR HIGH-SPEED LOGIC-CIRCUITS

被引：3

作者：

KATO, Y

DOHSEN, M

KASAHARA, J

TAIRA, K

WATANABE, N

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19810665

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：951 / 952

页数：2

共 4 条

[1] GAAS J-FET FORMED BY LOCALIZED ZN DIFFUSION [J].

DOHSEN, M ;

KASAHARA, J ;

KATO, Y ;

WATANABE, N .

ELECTRON DEVICE LETTERS, 1981, 2 (07) :157-158

[2] FULLY ION-IMPLANTED GAAS ICS USING NORMALLY-OFF JFETS [J].

KASAHARA, J ;

TAIRA, K ;

KATO, Y ;

DOHSEN, M ;

WATANABE, N .

[3] PLANAR GAAS NORMALLY-OFF JFET FOR HIGH-SPEED LOGIC-CIRCUITS [J].

KATO, Y ;

DOHSEN, M ;

KASAHARA, J ;

WATANABE, N .

[4]

NOTTHOFF JK, 1980, 2ND INT GAAS IC S LA